--- 产品参数 ---
- 封装 TO252封装
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 2SK3993-ZK-VB MOSFET 产品简介
2SK3993-ZK-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 TO252 封装,适用于低压应用。采用了 Trench 技术,具有极低的导通电阻和高的漏极电流承载能力,适用于需要高效能和高可靠性的低压功率管理应用。
### 2SK3993-ZK-VB MOSFET 详细参数说明
- **封装类型**: TO252
- **配置**: 单 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3mΩ @ VGS = 4.5V
- 2mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 100A
- **技术**: Trench

### 应用领域和模块
1. **电源管理**: 2SK3993-ZK-VB 适用于各种低压电源管理模块,如手机充电管理、低压电源开关等,能够提供稳定的电压输出并降低功耗。
2. **电机驱动**: 在低压电机驱动模块中,这款 MOSFET 可以用于小型电机、风扇驱动器等,能够提供稳定的电流输出和高效的电能转换。
3. **汽车电子**: 这款 MOSFET 也适用于汽车电子系统中的低压电源模块和驱动器,确保系统的稳定运行和高效能。
4. **LED 灯具**: 在 LED 照明领域,2SK3993-ZK-VB 可以用于 LED 灯具的驱动器,其高效能和高可靠性使其成为 LED 照明的理想选择。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12