--- 产品参数 ---
- 封装 TO220F封装
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 2SK3793-VB MOSFET 产品简介
2SK3793-VB 是一种单 N 沟道 MOSFET,采用 TO220F 封装,适用于高效能和低损耗的功率转换应用。其设计采用先进的 Trench 技术,具有低导通电阻和高电流处理能力,非常适合在开关电源、逆变器、电机驱动和其他需要高效功率管理的电子设备中使用。
### 2SK3793-VB MOSFET 详细参数说明
- **封装类型**: TO220F
- **配置**: 单 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 100V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 86mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 18A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块
1. **开关电源**: 2SK3793-VB 适用于各种开关电源应用,其低导通电阻和高电流处理能力使其能够有效减少功耗,提高电源的转换效率。
2. **逆变器**: 在逆变器模块中,这款 MOSFET 的高电流处理能力和耐高压特性使其能够在高功率转换过程中表现出色,适用于太阳能发电系统和不间断电源 (UPS) 系统。
3. **电机驱动**: 2SK3793-VB 的高电流能力和低导通电阻使其非常适合于电机驱动应用,能够提供稳定的高效电力输送,适用于工业自动化设备和电动汽车驱动系统。
4. **功率管理模块**: 这款 MOSFET 还广泛应用于各类功率管理模块中,如 DC-DC 转换器和电池管理系统,其高效能和低损耗特性确保了系统的稳定和高效运行。
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