--- 产品参数 ---
- 封装 TO220F封装
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、产品简介
**2SK3773-01MR-VB MOSFET**
2SK3773-01MR-VB 是由 VBsemi 提供的一款高性能 MOSFET,采用 TO220F 封装。这款 MOSFET 配置为单 N 通道,适用于高压应用,具有出色的开关性能和低导通电阻。这款器件特别设计用于提高系统效率和功率密度,适用于广泛的工业和商业应用。
### 二、详细参数说明
| 参数 | 规格 |
|-----------------|----------------------------------|
| **型号** | 2SK3773-01MR-VB |
| **封装** | TO220F |
| **配置** | 单 N 通道 |
| **VDS** | 500V |
| **VGS** | ±30V |
| **Vth** | 3.5V |
| **RDS(on)** | 140mΩ@VGS=10V |
| **ID** | 30A |
| **技术** | SJ_Multi-EPI |

### 三、适用领域和模块
**工业电源:**
2SK3773-01MR-VB 由于其高压和高电流能力,非常适合用于工业电源模块中,例如开关电源(SMPS)和电机驱动器。其低导通电阻和高效率的特性使其在这些应用中能够提供更低的功耗和更高的可靠性。
**可再生能源系统:**
在太阳能逆变器和风能转换器中,2SK3773-01MR-VB 的高耐压特性和强大的电流处理能力使其成为这些系统中的理想选择。它可以帮助提高能量转换效率,并且在各种负载条件下表现稳定。
**电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV):**
电动和混合动力汽车中的电源管理系统需要高效且高可靠性的元件。2SK3773-01MR-VB 的高电流和高耐压特性,使其非常适合用于这些车辆中的电池管理系统和电动机控制模块。
**消费电子:**
在大功率消费电子设备(如电视、音响系统和电脑电源)中,2SK3773-01MR-VB 可以作为关键的开关元件,提供高效能和稳定的性能表现,确保设备的高性能和长寿命。
这款 MOSFET 的设计特点使其成为各种应用中的理想选择,能够有效提升系统性能和可靠性。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12