--- 产品参数 ---
- 封装 TO220F封装
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、2SK3587-01MR-VB 产品简介
2SK3587-01MR-VB 是一款单N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),封装形式为TO220F。具有100V的漏源极电压和低导通电阻,适用于中低压电源管理和开关电路应用。采用了Trench技术,具有优异的电气性能和可靠性。
### 二、2SK3587-01MR-VB 详细参数说明
- **封装类型**:TO220F
- **配置**:单N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**:100V
- **栅源极电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:9mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**:90A
- **技术**:Trench

### 三、应用领域和模块说明
#### 应用领域
1. **电源管理系统**
- 2SK3587-01MR-VB 适用于中低压电源管理系统中,如电源适配器、工业电源和UPS系统等。
2. **汽车电子**
- 在汽车电子系统中,这款MOSFET可以用于车载电源管理和控制电路。
3. **工业控制**
- 2SK3587-01MR-VB 可以用于工业控制系统中的电源管理和开关电路,确保设备的稳定运行。
#### 应用模块
1. **电动工具**
- 在电动工具的电源管理和驱动控制中,这款MOSFET可以提供高效率和可靠性。
2. **LED照明**
- 在LED照明系统中,2SK3587-01MR-VB 可以用于开关和调光电路,提供高质量的照明效果。
3. **电源逆变器**
- 适用于各种电源逆变器模块中,将直流电转换为交流电,如太阳能逆变器和UPS系统等。
通过以上的简介、参数说明以及应用举例,可以看到2SK3587-01MR-VB 在多个领域和模块中的广泛应用,其高性能和可靠性使其成为电子设计中的重要组成部分。
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