--- 产品参数 ---
- 封装 TO220F封装
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介:2SK3532-VB MOSFET
2SK3532-VB 是一款由VBsemi生产的高性能单N沟道MOSFET,采用TO220F封装。该器件设计用于提供高效率和可靠性,适用于各种电力和开关应用。2SK3532-VB 的主要特点包括900V的漏极-源极电压(VDS)、±30V的栅极-源极电压(VGS),以及5A的漏极电流(ID)。器件采用SJ_Multi-EPI技术,具有较低的导通电阻(RDS(ON))和快速的开关特性,使其在高压高功率应用中表现出色。
### 详细参数说明
- **型号**: 2SK3532-VB
- **封装**: TO220F
- **配置**: 单N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 900V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 1500mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 5A
- **技术**: SJ_Multi-EPI

### 应用领域和模块示例
1. **电力输配**: 由于2SK3532-VB 具有高漏极电压和适中的导通电阻,适用于高压电力输配设备和电源管理系统中的开关器件。
2. **工业控制**: 在需要控制高压设备和系统的工业控制应用中,2SK3532-VB 可以用作开关元件,实现快速和可靠的开关操作。
3. **太阳能逆变器**: 在太阳能逆变器中,需要高性能的MOSFET来实现电能的转换和管理。2SK3532-VB 可以用于这些逆变器中,提供高效率的能量转换。
4. **医疗设备**: 在医疗设备中,需要可靠的高压开关器件来控制各种设备和系统。2SK3532-VB 可以用于这些医疗设备中,确保其正常运行和安全性。
综上所述,2SK3532-VB MOSFET 适用于电力输配、工业控制、太阳能逆变器和医疗设备等领域,为这些应用提供高性能和可靠性。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12