--- 产品参数 ---
- 封装 TO3P封装
- 沟道 Single-N沟道
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 2SK3497-VB MOSFET 产品简介
2SK3497-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),封装形式为 TO3P。该型号 MOSFET 具有高漏源电压和低导通电阻,适用于需要高性能和高功率处理能力的电源管理和开关应用。它采用 Trench 技术,具有优良的稳定性和可靠性。
### 2SK3497-VB 详细参数说明
| 参数名称 | 参数值 |
|------------------|------------------------|
| **封装形式** | TO3P |
| **配置** | 单 N 沟道 |
| **漏源电压 (VDS)** | 200V |
| **栅源电压 (VGS)** | ±20V |
| **阈值电压 (Vth)** | 4V |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 13.8mΩ @ VGS=10V |
| **漏极电流 (ID)** | 96A |
| **技术** | Trench |

### 2SK3497-VB 的应用领域和模块
1. **电源管理系统**:由于 2SK3497-VB 具有低导通电阻和高漏源电压,适用于需要高性能和高功率处理能力的电源管理系统。例如,开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器等应用中,该器件可以提供高效率和可靠性。
2. **电动汽车控制**:在电动汽车控制系统中,需要能够承受高电压和大电流的器件来实现快速响应和精确控制。2SK3497-VB 的高漏源电流和低导通电阻使其成为这些控制系统中的理想选择,有助于提高电动汽车的性能和驾驶体验。
3. **太阳能逆变器**:在太阳能发电系统中,逆变器将直流电转换为交流电。2SK3497-VB 的高耐压能力和低导通电阻使其适用于这些逆变器模块,有助于提高光伏系统的转换效率。
4. **工业自动化设备**:在工业控制系统中,MOSFET 用于驱动各种负载,如电机、电磁阀等。2SK3497-VB 的高性能和高可靠性使其成为这些应用中的理想选择,有助于提高系统的响应速度和稳定性。
5. **电池管理系统**:在电池管理系统中,需要能够控制充放电过程的器件。2SK3497-VB 的高功率处理能力和低导通电阻使其成为这些系统中的理想选择,有助于提高电池的充放电效率和安全性。
综上所述,2SK3497-VB 适用于需要高性能和高功率处理能力的电子设备和系统中,特别是在需要高漏源电压和低导通电阻的应用中表现突出。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12