--- 产品参数 ---
- 封装 TO252封装
- 沟道 Single-N沟道
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介:2SK3492-TL-VB MOSFET
2SK3492-TL-VB 是一款由VBsemi生产的高性能单N沟道MOSFET,采用TO252封装。该器件设计用于提供高效率和可靠性,适用于各种电力和开关应用。2SK3492-TL-VB 的主要特点包括60V的漏极-源极电压(VDS)、±20V的栅极-源极电压(VGS),以及18A的漏极电流(ID)。器件采用Trench技术,具有较低的导通电阻(RDS(ON))和快速的开关特性,使其在中功率应用中表现出色。
### 详细参数说明
- **型号**: 2SK3492-TL-VB
- **封装**: TO252
- **配置**: 单N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 60V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 85mΩ @ VGS = 4.5V, 73mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 18A
- **技术**: Trench

### 应用领域和模块示例
1. **电源管理**: 由于2SK3492-TL-VB 具有较低的导通电阻和中等的漏极电流能力,适用于中功率开关电源和直流-直流转换器。
2. **电池管理**: 在需要对电池进行充放电管理的应用中,可以使用2SK3492-TL-VB 控制电流。
3. **照明控制**: 在需要对照明系统进行精确控制的应用中,2SK3492-TL-VB 可以用作开关器件。
4. **工业自动化**: 在工业自动化设备中,需要高性能的MOSFET来控制电机和其他电力设备。2SK3492-TL-VB 可以胜任这些任务。
综上所述,2SK3492-TL-VB MOSFET 适用于电源管理、电池管理、照明控制和工业自动化等领域,为这些应用提供高性能和可靠性。
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