--- 产品参数 ---
- 封装 TO220F封装
- 沟道 Single-N沟道
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、2SK3051-VB 产品简介
2SK3051-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 TO220F 封装,适用于各种中低压功率电子应用。该型号具有60V 的漏源电压 (VDS) 和 45A 的连续漏极电流 (ID),在不同的栅源电压下,具有不同的导通电阻 (RDS(ON)),表现出良好的开关性能。采用了 Trench 技术,具有良好的导电特性和稳定性,适用于要求高性能和可靠性的电子应用。
### 二、2SK3051-VB 详细参数说明
| 参数 | 数值 | 单位 | 备注 |
|-------------------|-----------|-------|------------------------------------------|
| **封装类型** | TO220F | | |
| **配置** | 单 N 沟道 | | |
| **漏源电压 (VDS)** | 60 | V | 最大额定值 |
| **栅源电压 (VGS)** | 20(±) | V | 最大额定值 |
| **阈值电压 (Vth)** | 1.7 | V | 典型值 |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 27 | mΩ | VGS=10V 时 |
| **连续漏极电流 (ID)** | 45 | A | 最大额定值 |
| **技术** | Trench | | 沟槽结构 |

### 三、应用领域及示例
2SK3051-VB MOSFET 适用于各种中低压功率应用,具有广泛的应用领域:
1. **电源管理**:在中低压电源管理中,该器件可用于稳压和功率控制。其低导通电阻和高漏极电流使其成为中低压电源管理的理想选择。
2. **汽车电子**:在汽车电子系统中,2SK3051-VB 可以用于马达控制和电池管理。其高电流和稳定性有助于提高汽车电子系统的效率和性能。
3. **工业控制**:在工业控制系统中,2SK3051-VB 可以用于传感器信号处理和开关控制。其高速开关和稳定性有助于提高工业设备的效率和可靠性。
综上所述,2SK3051-VB MOSFET 在电源管理、汽车电子和工业控制等领域具有广泛的应用前景,并且能够提供高效能和可靠性的解决方案。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12