--- 产品参数 ---
- 封装 SOT23-3封装
- 沟道 Single-N-Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、产品简介
2SK3018-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用先进的沟槽技术制造,具备出色的导通特性和高可靠性。该器件封装在 SOT23-3 封装中,具备60V 的漏源电压(VDS),20V 的栅源电压(VGS),以及 0.3A 的最大漏极电流(ID)。在不同栅源电压下,其导通电阻(RDS(ON))分别为 3100mΩ @ VGS=4.5V 和 2800mΩ @ VGS=10V,适用于低功率应用场合。
### 二、详细参数说明
- **型号:** 2SK3018-VB
- **封装:** SOT23-3
- **配置:** 单 N 沟道
- **漏源电压(VDS):** 60V
- **栅源电压(VGS):** 20V(±)
- **阈值电压(Vth):** 1.7V
- **导通电阻(RDS(ON)):**
- 3100mΩ @ VGS=4.5V
- 2800mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流(ID):** 0.3A

- **技术类型:** 沟槽技术
### 三、应用领域及模块举例
2SK3018-VB 适用于低功率应用场合,以下是一些典型应用示例:
1. **小功率电源管理:**
- **移动设备充电管理:** 由于其低漏源电压和低导通电阻,2SK3018-VB 可以用于移动设备的充电管理电路,如手机、平板电脑等。
2. **传感器接口:**
- **传感器信号处理:** 在一些需要接口传感器并处理传感器信号的应用中,2SK3018-VB 可以用作信号处理电路的开关元件。
3. **LED 驱动:**
- **LED 灯条控制:** 在 LED 灯条控制电路中,2SK3018-VB 可以用作 LED 的开关驱动器,实现对 LED 的控制。
4. **小功率开关电路:**
- **小功率开关电源:** 在一些小功率开关电源中,2SK3018-VB 可以用作开关管,实现功率转换和控制。
通过以上应用实例,可以看出 2SK3018-VB 在低功率应用中的广泛应用,展现了其在小功率电源管理和控制领域的优越性能。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12