### 产品简介
**型号：2SK2988-VB**
**封装：SC70-3**
**配置：单P沟道**
**技术：沟道技术**
2SK2988-VB 是一款高性能P沟道MOSFET，采用SC70-3封装，适用于低压低功率应用。其-60V的漏源电压（VDS）和-0.135A的漏极电流（ID）使其在需要低压低功率输出的电路中表现出色。5000mΩ的导通电阻（RDS(ON)）@ VGS=4.5V和4000mΩ的导通电阻（RDS(ON)）@ VGS=10V确保了低功耗和高效率。
### 详细参数说明
- **漏源电压 (VDS)**: -60V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **开启阈值电压 (Vth)**: -1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 5000mΩ @ VGS=4.5V
- 4000mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: -0.135A
- **技术类型**: 沟道技术
- **封装类型**: SC70-3
- **配置**: 单P沟道
### 应用领域和模块示例
2SK2988-VB 的特性使其适用于低压低功率应用：
1. **移动设备**: 由于其小封装和低功耗特性，该MOSFET可用于智能手机、平板电脑等移动设备中的电源管理和信号开关。
2. **传感器接口**: 在需要驱动低功率传感器的应用中，2SK2988-VB 可用于信号放大和开关控制电路。
3. **医疗设备**: 在医疗设备中，如便携式监护仪器和医疗传感器，该MOSFET可以用于低功率电路的控制和驱动。
4. **便携式电子设备**: 例如手持游戏机、便携式音乐播放器等，这些设备通常需要高效的电源管理和信号控制电路。
2SK2988-VB 的小封装和低功耗特性使其成为低压低功率应用中的理想选择，能够满足各种领域对高性能MOSFET的要求。
