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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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2SK2958STL-E-VB一款Single-N-Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: 2SK2958STL-E-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 TO263封装
  • 沟道 Single-N-Channel

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、2SK2958STL-E-VB 产品简介

2SK2958STL-E-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 TO263 封装,适用于各种中低压功率电子应用。该型号具有30V 的漏源电压 (VDS) 和 98A 的连续漏极电流 (ID),在不同的栅源电压下,具有不同的导通电阻 (RDS(ON)),表现出优异的开关性能。采用了 Trench 技术,具有良好的导电特性和稳定性,适用于要求高性能和可靠性的电子应用。

### 二、2SK2958STL-E-VB 详细参数说明

| 参数                | 数值        | 单位    | 备注                                       |
|-------------------|-----------|-------|------------------------------------------|
| **封装类型**         | TO263     |       |                                          |
| **配置**            | 单 N 沟道    |       |                                          |
| **漏源电压 (VDS)**  | 30        | V     | 最大额定值                                |
| **栅源电压 (VGS)**  | 20(±)   | V     | 最大额定值                                |
| **阈值电压 (Vth)**  | 1.7       | V     | 典型值                                    |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 2.7       | mΩ    | VGS=4.5V 时                               |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 2.4       | mΩ    | VGS=10V 时                               |
| **连续漏极电流 (ID)** | 98        | A     | 最大额定值                                |
| **技术**            | Trench    |       | 沟槽结构                                   |

### 三、应用领域及示例

2SK2958STL-E-VB MOSFET 适用于各种中低压功率应用,具有广泛的应用领域:

1. **电源管理**:在低压电源管理中,该器件可用于稳压和功率控制。其低导通电阻和高漏极电流使其成为低压电源管理的理想选择。

2. **车载电子**:在汽车电子系统中,2SK2958STL-E-VB 可以用于马达控制和电池管理。其高电流和稳定性有助于提高汽车电子系统的效率和性能。

3. **消费电子**:在消费电子产品中,该器件可用于手机充电和电池管理。其高效率和可靠性有助于提高消费电子产品的性能和使用寿命。

4. **工业控制**:在工业控制系统中,2SK2958STL-E-VB 可以用于传感器信号处理和开关控制。其高速开关和稳定性有助于提高工业设备的效率和可靠性。

综上所述,2SK2958STL-E-VB MOSFET 在电源管理、车载电子、消费电子和工业控制等领域具有广泛的应用前景,并且能够提供高效能和可靠性的解决方案。

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