--- 产品参数 ---
- 封装 TO263封装
- 沟道 Single-N-Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、2SK2912STL-E-VB产品简介
2SK2912STL-E-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET,封装为TO263。它采用了先进的沟道技术,设计用于中等电压和大电流应用,具有低导通电阻和优秀的开关特性。该器件适用于需要高功率转换和稳定性能的电源管理和电动工具等应用场合。
### 二、2SK2912STL-E-VB详细参数说明
- **封装类型**:TO263
- **配置**:单N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**:60V
- **栅极-源极电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:12mΩ @ VGS=4.5V, 11mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**:75A
- **技术**:沟道技术

### 三、应用领域和模块实例
2SK2912STL-E-VB MOSFET适用于以下领域和模块:
1. **电源管理**:
- **开关电源 (SMPS)**:在开关电源中,2SK2912STL-E-VB能够提供高效的功率转换和稳定的电流控制。
- **电池保护电路**:在需要高电流保护的电池保护电路中,该MOSFET能够提供稳定的开关控制。
2. **电动工具**:
- **电动汽车充电桩**:在电动汽车充电桩中,2SK2912STL-E-VB能够处理高电压和大电流的转换,提供稳定和高效的充电。
- **电动工具驱动**:在电动工具中,该MOSFET的高电流和低导通电阻特性使其成为驱动器的理想选择,提高工具的性能和寿命。
3. **电动车辆**:
- 在电动车辆中,2SK2912STL-E-VB能够处理高压和大电流的转换,提供稳定的电源管理和电流控制。
4. **工业控制**:
- **工业电机控制**:在工业电机控制系统中,该MOSFET能够提供高效的电流控制和稳定的驱动特性。
- **UPS**:在UPS中,2SK2912STL-E-VB能够提供稳定的电压输出和高效的电池充电控制。
综上所述,2SK2912STL-E-VB由于其高功率转换能力、稳定性能和广泛的应用领域,适用于多种高压大电流应用的理想选择。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12