--- 产品参数 ---
- 封装 TO252封装
- 沟道 Single-N-Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
2SK2887TL-VB 是一款采用 TO252 封装的单 N 沟道 MOSFET。该器件具有 200V 的漏源电压 (VDS) 和 ±20V 的栅源电压 (VGS),适用于中高压功率开关和控制应用。其采用了 Trench 技术,具有较低的导通电阻 (RDS(ON)) 和适中的电流处理能力。
### 详细参数说明
- **型号**:2SK2887TL-VB
- **封装**:TO252
- **配置**:单 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**:200V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**:3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:245mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**:10A
- **技术**:Trench

### 应用领域和模块示例
2SK2887TL-VB MOSFET 可以应用于多个领域和模块,以下是一些具体的示例:
1. **电源开关模块**:在中高压电源开关模块中,如逆变器和高压电源适配器,该器件可以用作主要开关器件。其高漏源电压和适中的导通电阻使其适用于高功率转换和高效能电源管理。
2. **工业控制系统**:在工业控制系统中,2SK2887TL-VB 可以用于高压开关和控制器。其高漏源电压和适中的导通电阻使其能够在苛刻的工业环境中稳定工作。
3. **电动汽车充电桩**:在电动汽车充电桩中,该器件可以用作充电器的开关元件。其高漏源电压和适中的导通电阻可以提供可靠的充电性能和高效的能量转换。
4. **医疗设备**:在高压医疗设备中,如X射线机和医疗激光器,该器件可以用作控制和驱动器件。其高可靠性和稳定性使其成为医疗设备的理想选择。
5. **电力电子变换器**:在电力电子变换器中,2SK2887TL-VB 可以用作直流-交流变换器的开关器件。其高漏源电压和适中的导通电阻可以实现高效的电能转换。
2SK2887TL-VB 具有中高压特性和适中的电流处理能力,适用于中高压功率应用,是电子系统中的一种可靠性解决方案。
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