快~~来这里看 锂电池保护芯片/电池均衡充电芯片选型攻略盘点
为您选型提供。。。
PST9500 特点:单节锂电池充电+智能放电保护二合一集成芯片 ,适合要求小空间的PCBA设计运用，可直接用于单节锂电芯，无需另加电池保护电路,充电电流100mA,放电过流 0.8A 保护,高耐压18V ,过充电检测电压4.3V ，过放电检测电压2.8V , 0V电池充电功能 , 封装DFN2*2。
PST9600 特点:充电内置锂电保护二合一集成芯片，适合要求小空间的PCBA设计运用, 3mA-500mA 的可编程充电电流， 放电过流 0.5A 保护，内置PMOS 正极保护，锂电池正负极反接保护，封装SOT23-6/DFN2*2。
DW16 特点：是DW03升级版，零外围，外围不需要任何元件，内置MOS, 充电检测电压：4.3V, 放电检测电压2.4V, 0V充电，放电过流 3.5A ，封装SOT23-6。
CT2101 特点：替代JL1001，外置MOS管正极保护芯片，主要用于金属外壳的电子产品，如：手电筒，耐压12V,充电检测电压：4.30V, 0V充电,充电器防反接功能,电池防反接功能，内置延迟电容，封装SOT23-6。
CT2105 特点：内置MOS管正极保护芯片，主要用于金属外壳的电子产品,充电检测电压：4.275V, 放电检测电压2.5V,放电过流 3A，0V充电,充电器防反接功能,电池防反接功能，封装SOT23-6。
BP5301C 特点：内置MOS管正极保护芯片，主要用于金属外壳的电子产品,充电检测电压：4.275V, 放电检测电压2.5V,放电过流 3A，0V充电,充电器防反接功能,电池防反接功能，封装SOT23-6。
WSDY6112 特点：内置MOS管正极保护芯片，主要用于金属外壳的电子产品,充电检测电压：4.275V/4.425V/4.475V, 放电检测电压2.5V,放电过流 4A，0V充电,电池防反接功能，封装SOT23-6。
ETA3000 特点：锂电池主动均衡芯片，可以实现从3节到24节动力电池组的均衡，自动检测不平衡电压，均衡电流可以达到1.5A至2A，封装SOT23-6
