--- 产品参数 ---
- 封装 TO252封装
- 沟道 N-Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
**2SK2553-VB** 是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用TO252封装形式,具有优异的导通性能和高可靠性。其额定漏源电压(VDS)为60V,栅源电压(VGS)为±20V,栅极阈值电压(Vth)为3V。在VGS=4.5V时,RDS(ON)为12mΩ,而在VGS=10V时,RDS(ON)仅为4.5mΩ,最大连续漏电流(ID)可达97A。该器件采用Trench技术制造,适用于高性能、高功率的电源管理和开关电路应用。
### 详细参数说明
- **型号**: 2SK2553-VB
- **封装形式**: TO252
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 60V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 12mΩ @ VGS=4.5V
- 4.5mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 97A
- **技术**: Trench

### 应用领域及模块
**2SK2553-VB** 可广泛应用于需要高性能、高功率的电源管理和开关电路中,包括但不限于以下领域和模块:
1. **电动工具**:
- **电动钻/电锤**: 用作驱动器件,提供高效的电机驱动性能。
- **电动割草机**: 在高功率电动割草机中,提供高效能的电动机控制。
2. **工业自动化**:
- **工业机器人**: 用于高性能工业机器人中的电机驱动器件。
- **自动化设备**: 用于各种自动化设备中的电源管理和开关电路。
3. **车载电子**:
- **电动汽车**: 用于电动汽车中的功率开关器件,提供高效的电能转换。
- **车载充电桩**: 在电动汽车充电桩中,提供高功率的开关电路控制。
4. **电源管理**:
- **高性能电源模块**: 在需要高效能电源管理的应用中,提供稳定的电源输出。
- **电源逆变器**: 在需要高功率逆变器的场合,提供高效的电能转换。
5. **通信设备**:
- **高功率通信设备**: 在高功率通信设备中,提供高效的电源管理和开关控制。
2SK2553-VB MOSFET以其高性能和高可靠性,适用于各种高功率、高性能的电子设备和系统,为其提供高效、稳定的电源管理和开关控制功能。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12