--- 产品参数 ---
- 封装 TO220封装
- 沟道 N-Channe
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介详
**2SK2481-VB**是一款单N沟道MOSFET,由VBsemi公司生产,采用TO220封装。具有900V的超高压耐压、低导通电阻和高可靠性,适用于高压功率应用场合。
### 详细参数说明
- **封装类型**: TO220
- **配置**: 单N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: 900V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 1500mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 5A
- **技术**: SJ_Multi-EPI

### 应用领域和模块示例
**2SK2481-VB**适用于高压功率应用场合,具有超高压耐压和低导通电阻。以下是几个具体的应用示例:
1. **电源管理**:
- **开关电源**: 该MOSFET可用作开关电源中的主开关管,提供高效的电能转换,适用于工业电源和通信设备等领域。
- **电源逆变器**: 适用于电源逆变器中的功率开关,提供稳定的电压输出。
2. **电动汽车**:
- **电动汽车充电桩**: 该MOSFET可用于电动汽车充电桩中的电源控制模块,提供高效的电能转换和安全的充电功能。
- **电动汽车驱动器**: 适用于高压电动汽车的驱动器中,控制电机的速度和方向,提供高效的动力输出。
3. **工业控制**:
- **变频器**: 在变频器中,该MOSFET可用于控制电机的转速和方向,广泛应用于工业自动化领域。
- **电力电子设备**: 适用于高压电力电子设备中的功率开关,提供稳定可靠的电能转换。
4. **LED照明**:
- **LED驱动器**: 在LED驱动器中,该MOSFET可用于控制LED的亮度和稳定性,提供高效的照明控制。
- **户外照明系统**: 适用于户外照明系统的电源控制模块中,提供可靠的电能转换和长寿命的照明解决方案。
**2SK2481-VB**具有超高压耐压和低导通电阻,适用于多种高压功率应用场景,是现代电子和电力系统中的理想选择。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12