--- 产品参数 ---
- 封装 SOT23-3封装
- 沟道 N-Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
2SK2036-VB 是一款单 N 通道 MOSFET,采用 SOT23-3 封装。该器件具有较低的60V漏极-源极电压(VDS),适用于低电压应用场合。主要特点包括0.3A的漏极电流(ID)、3100mΩ @ VGS=4.5V 和 2800mΩ @ VGS=10V 的导通电阻(RDS(ON))、1.7V的阈值电压(Vth),以及采用沟道结构技术制造,提供良好的开关性能和可靠性。
### 详细参数说明
- **型号**:2SK2036-VB
- **封装**:SOT23-3
- **配置**:单 N 通道
- **漏极-源极电压 (VDS)**:60V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:3100mΩ @ VGS=4.5V、2800mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**:0.3A
- **技术**:沟道结构

### 应用领域和模块
2SK2036-VB 适用于多种低功率和低电压应用场合。
1. **移动设备**:由于其小封装和低功率特性,该器件适用于移动设备中的电源管理和控制模块,如智能手机、平板电脑等。
2. **电源管理**:在各种低功率电源应用中,2SK2036-VB 能够提供可靠的开关性能和高效的电能转换,适用于小型电源适配器和充电器等。
3. **传感器接口**:在传感器接口电路中,该器件可用于信号放大和开关控制,确保传感器的稳定工作和低功耗。
4. **LED驱动**:虽然漏极电流较低,但对于低功率 LED 灯具的驱动电路,2SK2036-VB 仍然是一个合适的选择,提供稳定的电流控制。
综上所述,2SK2036-VB 是一款适用于低功率和低电压应用的 MOSFET,具有良好的开关性能和可靠性,适用于移动设备、电源管理、传感器接口和LED驱动等领域。
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