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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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2SK1838STL-E-VB一款N-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: 2SK1838STL-E-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 TO252封装
  • 沟道 N-Channel

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 2SK1838STL-E-VB 产品简介

2SK1838STL-E-VB 是一款由 VBsemi 生产的单 N 沟道 MOSFET,采用 TO252 封装,适用于中电压和中功率应用。该型号具有适中的导通电阻和电流容量,适用于多种电子设备和模块。其主要特点包括 250V 的漏源电压(VDS)、640mΩ@VGS=10V 的导通电阻(RDS(ON))、4.5A 的连续漏极电流(ID)以及 3V 的阈值电压(Vth)。这些特性使其适合用于开关电源(SMPS)、电池保护、电机驱动和逆变器等中功率应用场景。

### 详细参数说明

| 参数        | 数值                    | 单位 |
|-------------|-------------------------|------|
| 封装类型    | TO252                   |      |
| 配置        | 单 N 沟道               |      |
| 漏源电压 (VDS) | 250                     | V    |
| 栅源电压 (VGS) | 20 (±)                 | V    |
| 阈值电压 (Vth)  | 3                       | V    |
| 导通电阻 (RDS(ON)) @ VGS=10V | 640                     | mΩ   |
| 漏极电流 (ID)   | 4.5                     | A    |
| 技术        | 沟道                    |      |

### 应用领域和模块示例

2SK1838STL-E-VB MOSFET 适用于多个领域和模块,主要包括以下几个方面:

1. **开关电源(SMPS)**:在中功率开关电源中,2SK1838STL-E-VB 的中等电压容量和导通电阻特性使其成为高效能的开关元件,有助于提高电源转换效率并减少功率损耗。

2. **电池保护**:在需要保护电池免受过电流和过电压的影响的电路中,该型号可以用作保护开关,确保电池处于安全状态。

3. **电机驱动**:由于其适中的电流容量,2SK1838STL-E-VB 可用于中功率电机驱动电路中的开关或调节器,提供稳定的电流输出。

4. **逆变器**:在中功率逆变器中,2SK1838STL-E-VB 的电压容量和导通电阻有助于提高系统的整体性能和可靠性。

这些示例展示了 2SK1838STL-E-VB 在中功率应用中的灵活性和实用性,使其成为许多设计师的理想选择。

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