--- 产品参数 ---
- 封装 TO252封装
- 沟道 N-Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
**型号:2SK1474-VB**
2SK1474-VB是一款采用TO-252封装的单N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该产品具有较低的导通电阻和适中的漏极电流,适用于需要高效率和中等功率的应用场景。其采用了Trench技术,具备良好的电气特性和可靠性。
### 详细参数说明
- **封装:** TO-252
- **配置:** 单N沟道
- **漏源电压 (VDS):** 100V
- **栅源电压 (VGS):** ±20V
- **阈值电压 (Vth):** 1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON)):** 114mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID):** 15A
- **技术:** Trench

### 应用领域和模块实例
**1. 电源管理模块:**
2SK1474-VB适用于电源管理模块中的功率开关和调节器。其低导通电阻和适中的漏极电流能够提高设备的能效和稳定性。
**2. 汽车电子系统:**
在汽车电子系统中,该MOSFET可用于电源管理和驱动器。其高漏极电压和适中的导通电阻有助于提高车辆的电能利用效率和性能。
**3. 工业控制设备:**
2SK1474-VB适用于工业控制设备的电源开关和调节器。其高漏极电流和低导通电阻可提高设备的效率和响应速度。
**4. LED照明驱动器:**
在LED照明驱动器中,该型号可用于功率开关和调光控制。其低导通电阻和高漏极电压能够提高LED照明系统的效率和稳定性。
通过这些应用实例,可以看出2SK1474-VB MOSFET在需要中等功率和高效率的电子设备中的广泛适用性,体现了其在现代电子技术中的重要地位。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12