--- 产品参数 ---
- 封装 TO220F封装
- 沟道 N-Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 2SK1460-VB 产品简介
2SK1460-VB 是一款高性能单 N 沟道 MOSFET,采用 TO220F 封装,适用于各种功率控制和开关应用。该器件具有高耐压能力和低导通电阻,适用于要求高效率和可靠性的电路设计。
### 2SK1460-VB 详细参数说明
- **封装(Package)**: TO220F
- **配置(Configuration)**: 单 N 沟道(Single N-Channel)
- **漏源电压(VDS)**: 950V
- **栅源电压(VGS)**: ±30V
- **门限电压(Vth)**: 3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**: 2400mΩ @ VGS=10V
- **漏电流(ID)**: 6A
- **技术(Technology)**: Plannar

### 2SK1460-VB 应用领域和模块
#### 电源管理
2SK1460-VB 可用作各种电源管理电路中的开关元件,包括开关电源和稳压器。其高耐压能力和低导通电阻有助于提高电源管理系统的效率和性能。
#### 工业电子
在工业电子领域,2SK1460-VB 可用于控制和调节工业设备中的电流和功率。其高耐压能力和可靠性使其适用于各种工业应用。
#### 电动汽车充电桩
在电动汽车充电桩中,2SK1460-VB 可用作控制充电过程中的开关器件。其高耐压能力和低导通电阻有助于提高充电桩的效率和稳定性。
#### 高压直流输电
2SK1460-VB 还可用于高压直流输电系统中,控制和调节直流电流。其高耐压能力和可靠性使其适用于要求高电压和高效率的输电系统。
2SK1460-VB 的高性能和可靠性使其适用于电源管理、工业电子、电动汽车充电桩、高压直流输电等多个领域和模块,为各种功率控制和开关应用提供可靠的解决方案。
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