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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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2SK1339-VB一款N-Channel沟道TO3P的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: 2SK1339-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 TO3P封装
  • 沟道 N-Channel

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 一、2SK1339-VB 产品简介

2SK1339-VB 是一款单一 N 通道 MOSFET,封装形式为 TO3P。该型号采用 SJ_Multi-EPI 技术制造,具有较高的漏源电压和适中的导通电阻,适用于中高功率电路设计。其最大漏源电压(VDS)为 900V,最大栅源电压(VGS)为 ±30V,阈值电压(Vth)为 3.5V,导通电阻(RDS(ON))在 VGS=10V 时为 750mΩ,最大漏极电流(ID)为 9A。

### 二、2SK1339-VB 详细参数说明

- **型号**:2SK1339-VB
- **封装**:TO3P
- **类型**:单一 N 通道
- **技术**:SJ_Multi-EPI
- **最大漏源电压 (VDS)**:900V
- **最大栅源电压 (VGS)**:±30V
- **阈值电压 (Vth)**:3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:750mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**:9A
- **导通延迟时间**:< 10ns
- **关断延迟时间**:< 20ns
- **总栅电荷 (Qg)**:56nC
- **栅极-漏极电荷 (Qgd)**:16nC
- **漏极-源极电荷 (Qgs)**:40nC
- **热阻 (RθJC)**:0.83°C/W
- **工作温度范围**:-55°C 至 175°C

### 三、应用领域和模块实例

#### 高压电源模块
2SK1339-VB 可用于设计高压电源模块,如工业设备中的高压稳压器、高压开关电源等,适用于要求高压和高功率的场合。

#### 大功率电机驱动器
由于其较高的漏极电流和较低的导通电阻,该型号适用于设计大功率电机驱动器,如电动汽车的电机驱动器、工业大功率电机控制系统等。

#### 太阳能逆变器
在太阳能发电系统中,2SK1339-VB 可用于逆变器电路,帮助实现太阳能电能的高效转换和管理。

#### 高性能电源放大器
在音频放大器等高性能电源放大器中,该型号可用于功率放大器电路,提供高保真度和低失真的功率放大。

#### 高压照明系统
在需要设计高压 LED 照明系统的场合,如街道照明、车灯照明等,2SK1339-VB 可提供高效率和可靠性的解决方案。

综上所述,2SK1339-VB 是一款适用于中高功率电路设计的高性能 MOSFET 元件,具有广泛的应用前景,可用于多种电子设备和系统。

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