--- 产品参数 ---
- 封装 TO220封装
- 沟道 N-Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、2SK1117-VB 产品简介
2SK1117-VB 是一款单一 N 通道 MOSFET,封装形式为 TO220。该型号采用 Plannar 技术制造,具有较高的漏源电压和适中的导通电阻,适用于中功率电路设计。其最大漏源电压(VDS)为 600V,最大栅源电压(VGS)为 ±30V,阈值电压(Vth)为 3.5V,导通电阻(RDS(ON))在 VGS=4.5V 时为 1070mΩ,在 VGS=10V 时为 780mΩ,最大漏极电流(ID)为 8A。
### 二、2SK1117-VB 详细参数说明
- **型号**:2SK1117-VB
- **封装**:TO220
- **类型**:单一 N 通道
- **技术**:Plannar
- **最大漏源电压 (VDS)**:600V
- **最大栅源电压 (VGS)**:±30V
- **阈值电压 (Vth)**:3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- @ VGS=4.5V:1070mΩ
- @ VGS=10V:780mΩ
- **最大漏极电流 (ID)**:8A
- **导通延迟时间**:< 10ns
- **关断延迟时间**:< 20ns
- **总栅电荷 (Qg)**:40nC
- **栅极-漏极电荷 (Qgd)**:10nC
- **漏极-源极电荷 (Qgs)**:30nC
- **热阻 (RθJC)**:< 2.5°C/W
- **工作温度范围**:-55°C 至 175°C

### 三、应用领域和模块实例
#### 电源管理模块
2SK1117-VB 在中功率电源管理模块中有广泛应用,特别是在需要承受较高电压和电流的场合,如开关电源和稳压器。
#### 电动汽车充电器
由于其较高的漏极电流和较低的导通电阻,该型号适用于电动汽车电池管理系统中的功率开关电路,确保系统的高效率和安全性。
#### 工业电机控制
在工业电机控制领域,2SK1117-VB 可用于各种中功率电机驱动和控制系统,如风力发电机、泵站控制等。
#### 电源逆变器
在太阳能和风能等可再生能源系统中,该型号可用于逆变器电路,帮助实现能量的高效转换和管理。
#### 高性能电源放大器
在音响系统和专业音响设备中,2SK1117-VB 可用于功率放大器电路,提供高保真度的音频放大。
综上所述,2SK1117-VB 在中功率电路设计中具有广泛的应用前景,是一款适用于多种电子设备和系统的高性能 MOSFET 元件。
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