--- 产品参数 ---
- 封装 TO263封装
- 沟道 P-Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、2SJ664-VB 产品简介
2SJ664-VB 是一款单一 P 通道 MOSFET,封装形式为 TO263。该型号采用 Trench 技术制造,具有较低的导通电阻和优秀的开关特性,适用于中功率电路设计。其最大漏源电压(VDS)为 -100V,最大栅源电压(VGS)为 ±20V,阈值电压(Vth)为 -2V,导通电阻(RDS(ON))在 VGS=4.5V 时为 50mΩ,在 VGS=10V 时为 40mΩ,最大漏极电流(ID)为 -37A。
### 二、2SJ664-VB 详细参数说明
- **型号**:2SJ664-VB
- **封装**:TO263
- **类型**:单一 P 通道
- **技术**:Trench
- **最大漏源电压 (VDS)**:-100V
- **最大栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:-2V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- @ VGS=4.5V:50mΩ
- @ VGS=10V:40mΩ
- **最大漏极电流 (ID)**:-37A
- **导通延迟时间**:< 10ns
- **关断延迟时间**:< 20ns
- **总栅电荷 (Qg)**:70nC
- **栅极-漏极电荷 (Qgd)**:18nC
- **漏极-源极电荷 (Qgs)**:52nC
- **热阻 (RθJC)**:< 1.2°C/W
- **工作温度范围**:-55°C 至 175°C

### 三、应用领域和模块实例
#### 电源管理模块
2SJ664-VB 在中功率电源管理模块中有广泛应用,如开关电源和稳压器,特别是在需要高效率和低损耗的应用中表现优异。
#### 汽车电子
由于其较高的漏极电流和较低的导通电阻,该型号适用于汽车电子系统中的功率开关和驱动电路,如车载充电器、电动车电池管理系统等。
#### 工业控制
在工业控制领域,2SJ664-VB 可用于各种中功率电机驱动和控制系统,如工业自动化设备和机械控制系统。
#### LED 照明
在 LED 照明应用中,该型号可用于 LED 驱动电路和调光系统,帮助实现高效率和稳定性的 LED 光源控制。
#### 通信设备
在通信设备中,2SJ664-VB 可用于功率放大器和电源管理模块,确保设备在高效率和稳定性下工作。
综上所述,2SJ664-VB 在中功率电路设计中具有广泛的应用前景,是一款高性能 MOSFET 元件,适用于多种电子设备和系统。
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