--- 产品参数 ---
- 封装 SOT89封装
- 沟道 P-Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
2SJ508-VB 是 VBsemi 公司生产的单通道 P 型 MOSFET,采用 SOT89 封装。该器件具有较高的漏源电压和适中的导通电阻,适用于各种需要高电压处理能力的应用场合。
### 详细参数说明
- **型号**: 2SJ508-VB
- **封装**: SOT89
- **配置**: 单通道 P 型
- **漏源电压 (VDS)**: -100V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: -2V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 230mΩ @ VGS = 4.5V
- 200mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: -3A
- **技术**: Trench(沟槽技术)

### 应用领域和模块示例
1. **高压电源管理模块**
- 2SJ508-VB 可用作高压电源管理模块中的开关元件,适用于需要高电压处理和低导通损耗的应用场合。
2. **工业自动化设备**
- 在工业自动化设备中,这款 MOSFET 可以用于高压控制电路,确保设备的稳定运行和高效能。
3. **太阳能逆变器**
- 在太阳能逆变器中,2SJ508-VB 可用作开关元件,帮助将直流电转换为交流电,并调节输出电压。
4. **电动汽车充电器**
- 该 MOSFET 可用于电动汽车充电器中,作为高压开关元件,控制充电过程中的电流和电压,确保充电安全和高效。
2SJ508-VB 的高漏源电压和适中的导通电阻使其成为在高压应用中可靠且高效的选择,广泛应用于各种需要高电压处理能力的电子设备中。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12