--- 产品参数 ---
- 封装 TO252封装
- 沟道 P-Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 2SJ387STL-E-VB MOSFET 产品简介
**产品描述:**
2SJ387STL-E-VB 是一款单通道 P 型 MOSFET,专为各种电子应用中的高效能量管理而设计。该 MOSFET 封装为 TO-252,具有优异的导通特性和高电流承载能力。采用了槽沟技术,确保在苛刻环境中具有可靠性和稳定性。
### 详细参数说明
- **封装:** TO-252
- **配置:** 单通道 P 型
- **漏源电压 (VDS):** -20V
- **栅源电压 (VGS):** ±20V
- **阈值电压 (Vth):** -0.8V
- **导通电阻 (RDS(ON)):**
- 25mΩ @ VGS = 2.5V
- 16mΩ @ VGS = 4.5V
- **漏电流 (ID):** -40A
- **技术:** 槽沟

### 应用示例
**1. 电源管理:**
2SJ387STL-E-VB MOSFET 可用于各种电源管理应用,包括逆变器、稳压器和开关电源。其高电流能力和低导通电阻有助于提高能源效率,并实现更稳定的电源输出。
**2. 手持设备:**
在便携式设备中,该 MOSFET 可用于电池管理和功率转换,如智能手机、平板电脑和便携式音频设备。其高效率和低功耗有助于延长电池寿命并提供更长的使用时间。
**3. LED 驱动:**
2SJ387STL-E-VB 可用于 LED 照明驱动器,通过有效控制 LED 的电流,实现节能和长寿命的照明解决方案。其高效能和低损耗有助于提高 LED 照明系统的性能。
**4. 汽车电子:**
在汽车电子系统中,该 MOSFET 可用于电动汽车、混合动力汽车和传统汽车的电源管理、马达控制和其他关键系统。其高性能和可靠性确保了车辆的正常运行。
这些示例展示了2SJ387STL-E-VB MOSFET 在各个领域的多功能性和实用性,强调了它在现代电子设计和功率管理解决方案中的重要性。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12