--- 产品参数 ---
- 封装 SC70-3封装
- 沟道 P-Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、产品简介
**2SJ364-VB MOSFET** 是VBsemi 公司生产的一款单P-沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。封装形式为SC70-3,适用于低功率应用场景。
### 二、详细参数说明
- **封装形式**:SC70-3
- **配置**:单P-沟道
- **漏源电压(VDS)**:-60V
- **栅源电压(VGS)**:20V(±)
- **栅极阈值电压(Vth)**:-1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 5000mΩ @ VGS = 4.5V
- 4000mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流(ID)**:-0.135A
- **技术类型**:沟槽技术

### 三、应用领域和模块举例
**应用领域:**
1. **移动设备**:
- 由于2SJ364-VB MOSFET 具有低功耗特性,可用于移动设备中的电源管理、信号开关等电路。
2. **传感器接口**:
- 适用于传感器接口电路中的信号处理和开关控制。
3. **低功率驱动**:
- 可用于各种低功率驱动电路,如小型电机控制、LED驱动等。
**模块应用举例:**
1. **手持设备电源管理**:
- 用于手机、平板电脑等手持设备中的电源管理模块,实现高效能耗管理。
2. **传感器模块**:
- 适用于各种传感器模块中的信号处理和控制电路,如温度传感器、湿度传感器等。
3. **LED控制模块**:
- 用于LED灯带、背光模块等低功率LED控制电路中,实现亮度调节和开关控制。
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