--- 产品参数 ---
- 封装 SC70-3封装
- 沟道 P-Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
**型号:2SJ346-VB**
2SJ346-VB 是一款单P沟道MOSFET,采用SC70-3封装,具备高性能和可靠性。其采用槽沟道(Trench)技术,结合了高导通电流和低导通电阻的特点,适用于低功率应用。
### 产品详细参数
- **封装类型**: SC70-3
- **配置**: 单P沟道
- **漏源电压 (VDS)**: -20V
- **栅源电压 (VGS)**: ±12V
- **阈值电压 (Vth)**: -0.6V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 100mΩ @ VGS = 2.5V
- 80mΩ @ VGS = 4.5V
- **漏极电流 (ID)**: -3.1A
- **技术类型**: 槽沟道(Trench)

### 应用领域及模块
2SJ346-VB MOSFET 在多个领域和模块中具有广泛的应用。以下是一些示例:
1. **移动设备**: 由于其小封装和低功率特性,2SJ346-VB 可以用于移动设备中的电源管理和功率控制电路,如智能手机、平板电脑和便携式电子设备。
2. **电源管理模块**: 在低功率电源管理模块中,2SJ346-VB 的特性使其适用于低功率开关电源、DC-DC转换器和电池管理系统,提供高效的电能转换和分配。
3. **医疗设备**: 在需要小型、低功率的医疗设备中,2SJ346-VB 的特性使其适用于医疗成像设备、便携式监护设备和医疗传感器,提供稳定的电源和高效的能量转换。
4. **消费类电子产品**: 在需要小型、高效的消费类电子产品中,如数码相机、便携式音频设备和便携式游戏机,2SJ346-VB 可以用于电源管理和功率控制电路。
通过结合小封装、低功率、高导通电流和低导通电阻的特点,2SJ346-VB MOSFET 在低功率应用中具有广泛的应用前景。其可靠性和性能使其在多个领域和模块中得到广泛应用。
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