--- 产品参数 ---
- 封装 TO263封装
- 沟道 P-Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 2SJ277-VB MOSFET 产品简介
2SJ277-VB 是一款高性能单 P-Channel MOSFET,采用 TO263 封装。具有优秀的性能参数,适用于各种高功率、高频率和高温应用。该器件具有低导通电阻、高漏极-源极电压和高漏极电流等特点,可满足复杂电路设计的要求。
### 2SJ277-VB 详细参数
- **封装**:TO263
- **配置**:单 P-Channel
- **漏极-源极电压(VDS)**:-100V
- **栅极-源极电压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:-2V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 50mΩ @ VGS = 4.5V
- 40mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流(ID)**:-37A
- **技术**:沟道

### 应用领域和模块示例
1. **电源供应**: 2SJ277-VB 可用于开关电源和稳压器,确保高效率和稳定性。
2. **电动工具**: 在电动工具中,该器件可用于高效驱动电机,提供强大的性能和可靠性。
3. **LED 照明**: 由于其高电流容量和低导通电阻,适用于 LED 灯具的高效驱动,确保稳定的亮度和长寿命。
4. **汽车电子**: 2SJ277-VB 适用于汽车电子中的车身控制模块(BCM)和电动汽车(EV)的电池管理系统(BMS),确保高效和可靠的运行。
5. **工业自动化**: 在工业自动化中,可用于各种控制系统和驱动器,提供高效的控制和性能。
这些示例展示了 2SJ277-VB MOSFET 在各种高要求和高效能应用中的多功能性和实用性。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12