--- 产品参数 ---
- 封装 TO220封装
- 沟道 P-Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、2SJ140-VB 产品简介
2SJ140-VB 是一款由 VBsemi 生产的单一 P-沟道 MOSFET,采用先进的 Trench 技术制造。该器件封装在 TO220 外壳中,具有出色的导通电阻和高电流能力,适用于各种高效电源管理和开关应用。
### 二、2SJ140-VB 详细参数说明
- **封装类型**:TO220
- **配置**:单一 P-沟道
- **漏源电压 (VDS)**:-60V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:-1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 74mΩ @ VGS=4.5V
- 62mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**:-40A
- **技术**:Trench

### 三、应用领域和模块示例
2SJ140-VB 的应用领域广泛,适用于多个模块和应用场景:
1. **电源管理模块**:
2SJ140-VB 由于其低导通电阻和高电流处理能力,非常适合用于电源管理模块。它可以用于 DC-DC 转换器、开关模式电源(SMPS)等,以提高能效和减少热损耗。
2. **电动工具和工业设备**:
该 MOSFET 的高电流容量和坚固的 TO220 封装使其适合在电动工具和工业设备中使用。这些设备通常需要高效的电源开关和控制,以确保稳定运行和长寿命。
3. **汽车电子**:
在汽车电子应用中,2SJ140-VB 可以用于电动座椅、电动窗、风扇控制器等系统。这些系统要求可靠的电源开关能力和耐用性,2SJ140-VB 的性能正好满足这些需求。
4. **可再生能源系统**:
在太阳能和风能等可再生能源系统中,该 MOSFET 可以用于逆变器和电池管理系统(BMS),提供高效的能量转换和管理。
通过上述应用实例,可以看出2SJ140-VB的多功能性和在各种高效电源管理和开关应用中的重要性。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12