### 产品简介
**2SJ128-Z-VB**是一款单P沟道MOSFET，由VBsemi生产，采用TO252封装。这款MOSFET具有-100V的漏源电压（VDS）和20V（±）的栅源电压（VGS）。其开启阈值电压（Vth）为-2V，导通电阻（RDS(ON)）在栅源电压为4.5V时为280mΩ，在10V时为250mΩ，最大漏极电流（ID）为-8.8A。采用Trench技术，适用于中功率应用场景。
### 详细参数说明
| 参数 | 规格 |
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| 封装类型 | TO252 |
| 配置 | 单P沟道 |
| 漏源电压（VDS） | -100V |
| 栅源电压（VGS） | 20V（±） |
| 开启阈值电压（Vth） | -2V |
| 导通电阻（RDS(ON)） | 280mΩ@VGS=4.5V |
| | 250mΩ@VGS=10V |
| 最大漏极电流（ID） | -8.8A |
| 技术 | Trench |
### 应用领域和模块
1. **电源管理**：2SJ128-Z-VB MOSFET适用于电源管理领域，如电源适配器、充电器等。其高漏源电压和稳定性能使其能够承受较高的负载。
2. **功率放大器**：在音频功率放大器中，这款MOSFET可以用作输出级的开关元件，控制信号的放大和输出。
3. **电动工具**：在电动工具中，2SJ128-Z-VB可以用于控制电机的启停和速度调节，保证工具的稳定性和安全性。
