--- 产品参数 ---
- 封装 SOT23-6封装
- 沟道 P-Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
VBsemi的2P03-VB是一款单P沟道MOSFET,采用Trench技术,封装在SOT23-6中。这款MOSFET具有负的漏源电压和低导通电阻,适用于负载开关和级联开关等领域。
### 详细的参数说明
- **型号**: 2P03-VB
- **封装**: SOT23-6
- **配置**: 单P沟道
- **漏源电压 (VDS)**: -30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: -1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 54mΩ @ VGS=4.5V
- 49mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: -4.8A
- **技术**: Trench

### 应用领域和模块
1. **负载开关**
- **应用场景**: 用作负载开关元件,控制负载电路的通断。
- **模块**: 电源管理系统中的负载开关模块。
2. **级联开关**
- **应用场景**: 用于级联开关电路,如级联LED照明系统中的开关。
- **模块**: 级联LED照明模块、电源控制器。
3. **负压保护**
- **应用场景**: 用作负压保护开关,保护电路免受过压损害。
- **模块**: 电源保护模块、负压保护器。
2P03-VB适用于负载开关和级联开关等领域,能够提供稳定可靠的性能,在电源管理系统和LED照明系统中有广泛的应用。
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