企业号介绍

全部
  • 全部
  • 产品
  • 方案
  • 文章
  • 资料
  • 企业

微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

1.6w 内容数 99w+ 浏览量 82 粉丝

2P03-VB一款P-Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: 2P03-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 SOT23-6封装
  • 沟道 P-Channel

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介

VBsemi的2P03-VB是一款单P沟道MOSFET,采用Trench技术,封装在SOT23-6中。这款MOSFET具有负的漏源电压和低导通电阻,适用于负载开关和级联开关等领域。

### 详细的参数说明

- **型号**: 2P03-VB
- **封装**: SOT23-6
- **配置**: 单P沟道
- **漏源电压 (VDS)**: -30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: -1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 
 - 54mΩ @ VGS=4.5V
 - 49mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: -4.8A
- **技术**: Trench

### 应用领域和模块

1. **负载开关**
  - **应用场景**: 用作负载开关元件,控制负载电路的通断。
  - **模块**: 电源管理系统中的负载开关模块。

2. **级联开关**
  - **应用场景**: 用于级联开关电路,如级联LED照明系统中的开关。
  - **模块**: 级联LED照明模块、电源控制器。

3. **负压保护**
  - **应用场景**: 用作负压保护开关,保护电路免受过压损害。
  - **模块**: 电源保护模块、负压保护器。

2P03-VB适用于负载开关和级联开关等领域,能够提供稳定可靠的性能,在电源管理系统和LED照明系统中有广泛的应用。

为你推荐

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18

    在当今的电子设计与制造领域,供应链的韧性与元器件的成本效益已成为关乎企业核心竞争力的关键因素。寻找一个性能相当、甚至更优,同时兼具供应稳定与成本优势的国产替代器件,不再是简单的备选方案,而是演进为一项至关重要的战略决策。当我们聚焦于应用广泛的N沟道功率MOSFET——英飞凌的IRF640NPBF时,微碧半导体(VBsemi)推出的VBM1201M脱颖而出,它
    1150浏览量
  • VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供应链自主可控与极致成本效益的今天,为经典器件寻找一个性能更强、供应更稳、价值更高的国产替代方案,已成为驱动产品创新与保障交付安全的核心战略。面对英飞凌经典的P沟道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半导体(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非简单的引脚兼容替代,而是一次从基础参数到系统效能的全面价值跃升。从参数对标到性能飞
    881浏览量