--- 产品参数 ---
- 封装 SOT23-3封装
- 沟道 N-Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### VBsemi 2N7002ZL-AE2-R-VB MOSFET 产品概述
VBsemi 2N7002ZL-AE2-R-VB 是一款单 N-通道 MOSFET,适用于低功率应用。封装在 SOT23-3 封装中,适合于小型电路设计。这款 MOSFET 采用了槽道结构技术,具有低导通电阻和适中的电流承载能力,适用于要求低功率和高效率的应用场合。
### 详细规格
- **封装:** SOT23-3
- **配置:** 单 N-通道
- **VDS(漏极-源极电压):** 60V
- **VGS(栅极-源极电压):** ±20V
- **Vth(栅极阈值电压):** 1.7V
- **RDS(ON)(导通电阻):**
- 3100mΩ @ VGS = 4.5V
- 2800mΩ @ VGS = 10V
- **ID(连续漏极电流):** 0.3A
- **技术:** 槽道结构

### 应用和用例
VBsemi 2N7002ZL-AE2-R-VB MOSFET 适用于各种领域和模块:
1. **电子开关:**
- **小功率开关:** 用于电路中的小功率开关,例如低功率 LED 灯控制。
- **信号开关:** 用于控制信号电路中的开关,例如音频设备和通信设备。
2. **模拟开关:**
- **模拟信号开关:** 用于模拟信号开关,例如音频设备中的信号切换器。
3. **传感器接口:**
- **传感器信号放大器:** 用于传感器接口电路中的开关,放大传感器信号并传输给微控制器。
4. **低功率稳压器:**
- **小功率稳压器:** 用于低功率稳压器中的功率开关,提供稳定的输出电压。
VBsemi 2N7002ZL-AE2-R-VB MOSFET 具有低功率和高效率的特点,适用于各种低功率应用,包括电子开关、传感器接口等。
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