### 产品简介
**2N7002VC-VB**是一款双N沟道+N沟道MOSFET，由VBsemi生产，采用SC75-6封装。这款MOSFET具有60V的漏源电压（VDS）和20V（±）的栅源电压（VGS）。其开启阈值电压（Vth）为1.7V，导通电阻（RDS(ON)）在栅源电压为4.5V时为1500mΩ，在栅源电压为10V时为1200mΩ，最大漏极电流（ID）为0.3A。采用Trench技术，适用于低功率应用场景。
### 详细参数说明
| 参数 | 规格 |
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| 封装类型 | SC75-6 |
| 配置 | 双N沟道+N沟道 |
| 漏源电压（VDS） | 60V |
| 栅源电压（VGS） | 20V（±） |
| 开启阈值电压（Vth） | 1.7V |
| 导通电阻（RDS(ON)） | 1500mΩ@VGS=4.5V, 1200mΩ@10V |
| 最大漏极电流（ID） | 0.3A |
| 技术 | Trench |
### 应用领域和模块
1. **功率开关**：2N7002VC-VB MOSFET适用于各种功率开关应用，如低功率电源开关、电机驱动等。其低导通电阻和高漏源电压使其能够承受一定的功率负载。
2. **逆变器**：在逆变器电路中，这款MOSFET可以用来控制电路的开关，实现电压的变换。其高可靠性和稳定性使其成为逆变器电路的理想选择。
3. **模拟开关**：2N7002VC-VB还可以用于模拟开关应用，如音频信号开关、视频信号开关等。其双N沟道和N沟道配置使其能够实现更多的开关功能。
