--- 产品参数 ---
- 封装 TO220F封装
- 沟道 N-Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
VBsemi的2N65ZL-TF3-T-VB是一款高性能单N沟道MOSFET,采用了平面技术制造,具有高漏源极电压和适中的导通电阻。该器件适用于需要高电压和低电流的应用,如开关电源、照明系统和消费类电子产品。2N65ZL-TF3-T-VB采用TO220F封装,具有良好的散热性能和高可靠性,适合于需要中等功率密度和高电压的应用。
### 详细参数说明
- **型号**: 2N65ZL-TF3-T-VB
- **封装形式**: TO220F
- **配置**: 单N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: 650V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 1700mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 2A
- **技术**: 平面技术

### 应用领域和模块示例
1. **开关电源**:
- 在开关电源中,2N65ZL-TF3-T-VB可用于开关电源的开关器件,如电源开关和逆变器。其高漏源极电压和适中导通电阻可确保开关电源的稳定性和效率。
2. **照明系统**:
- 在LED照明系统中,该MOSFET可用作LED驱动器的开关器件。其高漏源极电压和适中导通电阻可确保LED照明系统的稳定性和高效能。
3. **消费类电子**:
- 在消费类电子产品中,如电视机、电脑显示器和音响系统,2N65ZL-TF3-T-VB可用于电源管理和开关电路。其高可靠性和稳定性可确保设备的安全运行。
4. **工业控制**:
- 该MOSFET适用于工业控制系统中的电源逆变器和电机控制器。其高漏源极电压和适中导通电阻可提高系统的效率和稳定性。
综上所述,VBsemi的2N65ZL-TF3-T-VB MOSFET适用于各种需要高电压和低电流的应用领域,特别是在开关电源、照明系统和消费类电子产品等领域表现突出。
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