### 产品简介
**2N65L-TM3-T-VB**是一款单N沟道MOSFET，由VBsemi生产，采用TO251封装。这款MOSFET具有650V的漏源电压（VDS）和30V（±）的栅源电压（VGS）。其开启阈值电压（Vth）为3.5V，导通电阻（RDS(ON)）在栅源电压为10V时为4300mΩ，最大漏极电流（ID）为2A。采用Plannar技术，适用于低功率应用场景。
### 详细参数说明
| 参数 | 规格 |
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| 封装类型 | TO251 |
| 配置 | 单N沟道 |
| 漏源电压（VDS） | 650V |
| 栅源电压（VGS） | 30V（±） |
| 开启阈值电压（Vth） | 3.5V |
| 导通电阻（RDS(ON)） | 4300mΩ@VGS=10V |
| 最大漏极电流（ID） | 2A |
| 技术 | Plannar |
### 应用领域和模块
1. **电源管理**：2N65L-TM3-T-VB MOSFET适用于低功率电源管理，如低功率逆变器、电源适配器等。其低导通电阻和适中的漏源电压使其能够提供高效的电能转换。
2. **LED照明驱动**：在LED照明驱动电路中，这款MOSFET可以用来控制LED灯条、LED灯泡等的亮度和开关。其高漏源电压和低导通电阻特性使其能够提供稳定的驱动电流。
3. **电动汽车充电桩**：在电动汽车充电桩中，2N65L-TM3-T-VB MOSFET用于直流充电桩的功率转换和控制。其高压和低功率特性确保了充电过程的高效率和稳定性。
