--- 产品参数 ---
- 封装 TO220封装
- 沟道 N-Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
VBsemi的2764-A-VB是一款高性能单N沟道MOSFET,采用了平面结构技术制造,具有良好的导通特性和稳定性。该器件适用于中功率应用,尤其在需要高漏极电压和稳定性能的场合表现出色。2764-A-VB采用TO220封装,适用于工业、消费类电子和通信设备等领域。
### 详细参数说明
- **型号**: 2764-A-VB
- **封装形式**: TO220
- **配置**: 单N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: 650V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 1100mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 10A
- **技术**: 平面结构技术

### 应用领域和模块示例
1. **工业电源**:
- 在工业电源系统中,2764-A-VB可用于开关电源、UPS系统和电动车充电器。其高漏极电压和稳定性能使其成为这些系统中的理想选择。
2. **电动车充电器**:
- 在电动车充电器中,该MOSFET可以作为充电器的开关器件,用于实现高效能和高性能的电池充电。其高漏极电压和低导通电阻可提高充电器的效率和稳定性。
3. **通信设备**:
- 在通信设备中,2764-A-VB可用于电源管理模块和功率放大器。其稳定的性能和高电压能力使其适用于各种通信设备中的功率控制和管理。
4. **消费电子**:
- 该MOSFET也适用于消费电子产品中的电源适配器、LED驱动器和音频放大器。其稳定性能和高电压能力可提高这些产品的性能和可靠性。
综上所述,VBsemi的2764-A-VB MOSFET适用于各种中功率应用领域,特别是在需要高漏极电压和稳定性能的场合表现出色。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12