--- 产品参数 ---
- 封装 TO220封装
- 沟道 N-Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、25N10F7-VB TO220 产品简介
25N10F7-VB 是一款单N沟道MOSFET,封装形式为TO220,采用了Trench技术,具有较高的漏源极电压(100V)和电流(55A)处理能力。该器件在4.5V和10V栅极驱动电压下分别具有38mΩ和36mΩ的导通电阻,适用于高功率、高电压的应用场合,如电源开关、电机驱动等,具有低导通电阻和高效能量转换的特点。
### 二、25N10F7-VB TO220 详细参数说明
- **封装形式**:TO220
- **配置**:单N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**:100V
- **栅源极电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:38mΩ @VGS = 4.5V, 36mΩ @VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**:55A
- **技术**:Trench

### 三、25N10F7-VB TO220 应用领域和模块举例
1. **电源开关**:
- **应用说明**:25N10F7-VB 可以用于高电压、高功率的电源开关,提供低导通电阻和高效能量转换。
- **实例**:适用于电动工具、工业设备等的电源开关模块。
2. **电机驱动**:
- **应用说明**:在电机驱动系统中,25N10F7-VB 可以提供稳定的电流输出和高效能量转换,提高电机的运行效率。
- **实例**:适用于电动汽车的电机驱动模块、工业机械的电机控制模块等。
3. **LED照明**:
- **应用说明**:在LED照明系统中,25N10F7-VB 可以作为LED驱动器件,提供稳定的电流输出和高效的能量转换。
- **实例**:适用于室内外照明、汽车照明等LED灯具的驱动模块。
这些应用示例展示了25N10F7-VB 在高功率、高电压应用中的广泛适用性和优越性能,能够满足多种电源开关、电机驱动和LED照明等领域的需求。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12