### 25CEH2288-VB 产品简介
**25CEH2288-VB** 是一款双极性 N+N-Channel MOSFET，采用 SOT23-6 封装，适用于低压应用。它采用了 Trench 技术，能够提供低导通电阻和高效能量转换。
### 详细参数说明
| **参数** | **数值** |
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| **封装** | SOT23-6 |
| **配置** | 双-N+N-Channel |
| **漏源极电压 (VDS)** | 20V |
| **栅源极电压 (VGS)** | ±20V |
| **阈值电压 (Vth)** | 0.5~1.5V |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 28mΩ @ VGS=2.5V |
| | 24mΩ @ VGS=4.5V |
| **连续漏极电流 (ID)** | 6A |
| **技术** | Trench |
### 适用领域和模块
1. **便携式电子设备**：25CEH2288-VB 可以用于便携式电子设备，如智能手机、平板电脑等的电源管理和功率控制。
2. **消费类电子产品**：在消费类电子产品中，如数码相机、便携式音响等，25CEH2288-VB 可以用于功率管理和开关电路。
3. **医疗设备**：在医疗设备中，25CEH2288-VB 可以用于各种电源管理和功率控制电路，确保设备的稳定性和高效性。
4. **工业控制**：在工业控制系统中，25CEH2288-VB 可以用于各种功率开关和控制电路，提供稳定的电源和高效的能量转换。
