--- 产品参数 ---
- 封装 TSSOP8封装
- 沟道 P+P-Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 2508PB-VB 产品简介
**2508PB-VB** 是一款双极性 P+P-Channel MOSFET,采用 TSSOP8 封装,适用于低压应用。它采用了 Trench 技术,能够提供低导通电阻和高效能量转换。
### 详细参数说明
| **参数** | **数值** |
|---------------------|-----------------------------|
| **封装** | TSSOP8 |
| **配置** | 双-P+P-Channel |
| **漏源极电压 (VDS)** | -20V |
| **栅源极电压 (VGS)** | ±20V |
| **阈值电压 (Vth)** | -1.2V |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 18mΩ @ VGS=4.5V |
| | 13mΩ @ VGS=10V |
| **连续漏极电流 (ID)** | -7.5A |
| **技术** | Trench |

### 适用领域和模块
1. **手机和平板电脑**:2508PB-VB 可以用于手机和平板电脑等便携式设备中的功率管理和充电电路。
2. **消费类电子产品**:在消费类电子产品中,如数码相机、便携式音响等,2508PB-VB 可以用于功率管理和开关电路。
3. **汽车电子**:在汽车电子领域,2508PB-VB 可以用于车载充电器、车载音响系统等模块中的功率管理和控制电路。
4. **工业控制**:在工业控制系统中,2508PB-VB 可以用于各种功率开关和控制电路,提供稳定的电源和高效的能量转换。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12