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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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24NM65N-VB TO263一款N-Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: 24NM65N-VB TO263
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 TO263封装
  • 沟道 N-Channel

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---


### 二、详细参数说明

- **型号**:24NM65N-VB TO263
- **封装**:TO263
- **配置**:单N沟道
- **VDS(漏源电压)**:650V
- **VGS(栅源电压)**:±30V
- **Vth(阈值电压)**:3.5V
- **RDS(ON)(导通电阻)**:160mΩ @ VGS=10V
- **ID(漏极电流)**:20A
- **技术**:SJ_Multi-EPI

### 三、应用领域和模块举例

1. **电源管理模块**
  - **开关电源**:24NM65N-VB TO263适用于开关电源中的开关控制,提供高效的电源管理和稳定的电流输出。
  - **电源逆变器**:用于电源逆变器中的开关控制,实现高效的电能转换和稳定的输出电压。

2. **电动汽车**
  - **电机驱动器**:在电动汽车的电机驱动器中,24NM65N-VB TO263作为关键元件,提供高效的电机控制和驱动能力。
  - **充电桩**:适用于电动汽车充电桩中

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