**产品简介：**
200N6F3-VB是一款单N沟道功率MOSFET，具有60V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS，±V），和3V的阈值电压（Vth）。该器件采用了Trench技术，适用于中功率应用。
**详细参数：**
- **VDS（漏极-源极电压）:** 60V
- **VGS（栅极-源极电压）:** 20V（±V）
- **阈值电压（Vth）:** 3V
- **导通电阻（RDS(ON)）:**
- 9mΩ @ VGS=4.5V
- 3mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流（ID）:** 210A
- **封装:** TO220
- **技术:** Trench
**适用领域和模块：**
200N6F3-VB适用于中功率应用，包括但不限于：
1. **电源管理：** 用于中功率开关电源、逆变器和稳压器等模块中，以提供可靠的电能转换和控制。
2. **电机控制：** 用于中功率电机控制、工业机械和家用电器等领域中，以实现高效的电机控制和驱动。
3. **照明应用：** 用于LED照明、室内照明等场合中，以提供高效、可靠的照明解决方案。
总的来说，200N6F3-VB MOSFET是一款适用于中功率应用的MOSFET，具有可靠的性能和广泛的应用领域。
