### 产品简介
**17N80C3-VB TO220**是一款单N沟道MOSFET，具有高漏极-源极电压和低导通电阻，适用于要求高电压和电流的功率电子应用。采用SJ_Multi-EPI技术，具备出色的开关性能和热稳定性，适合于各种高效、高性能的电源和驱动器设计。
### 详细参数说明
- **封装类型**：TO220
- **配置**：单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**：800V
- **栅源电压 (VGS)**：±30V
- **阈值电压 (Vth)**：3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：240mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**：20A
- **技术**：SJ_Multi-EPI
### 应用领域和模块示例
**电力逆变器**：
- 由于其高漏极-源极电压和低导通电阻特性，适用于各种电力逆变器设计，如太阳能逆变器和工业逆变器。能够实现高效率的能量转换和稳定的输出。
**电动汽车充电桩**：
- 在电动汽车充电桩中，需要处理高电压和电流。17N80C3-VB TO220可以用于充电桩中的功率转换模块，确保高效能量转换和稳定输出。
**工业电机驱动**：
- 适用于工业电机驱动器，如工业风扇、泵和压缩机等。具有高电压和电流承受能力，能够有效地控制工业电机的运行。
**电源管理**：
- 在各种电源管理应用中，17N80C3-VB TO220可以用于电源开关和稳压器设计，提供稳定的电源输出和高效的能量转换。
**电力传输与配电**：
- 适用于各种高压电力传输与配电设备和系统中，确保高效能量转换和稳定的电力传输。可以用于高压电缆、开关设备和变压器等设备的设计。
