### 13N95K3-VB TO220 产品简介
**产品概述**：
13N95K3-VB 是一款单N沟道功率MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术制造，适用于超高压范围内的功率控制应用。其封装为TO220，具有良好的散热性能和高可靠性。
**产品特点**：
- **超高电压承受能力**：VDS为900V，适用于超高压范围内的应用。
- **高栅极电压**：VGS为±30V，提供设计灵活性。
- **中阈值电压**：Vth为3.5V，适中的驱动要求。
- **低导通电阻**：RDS(ON)为750mΩ@VGS=10V，提高效率，降低功耗。
- **中电流能力**：ID为9A，适用于中等电流应用。
### 13N95K3-VB TO220 详细参数说明
- **封装**：TO220
- **配置**：单N沟道
- **漏源极电压（VDS）**：900V
- **栅源极电压（VGS）**：±30V
- **阈值电压（Vth）**：3.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：750mΩ@VGS=10V
- **连续漏极电流（ID）**：9A
- **技术**：SJ_Multi-EPI
### 应用领域和模块
**电力传输**：
13N95K3-VB 可用于超高压直流输电系统中的开关元件，控制电力传输和分配。
**电力电子**：
适用于超高压电力电子设备中的功率开关元件，如高压变频器、逆变器等领域。
**工业自动化**：
在工业自动化设备中，可用于高压电源开关和电机控制，适用于高压工业电机、高压电源系统等领域。
**医疗设备**：
在医疗设备中，可用于高压电源开关和电机控制，适用于高压X射线设备、医疗激光设备等领域。
**电动汽车充电桩**：
可用于控制电动汽车充电桩的功率开关元件，适用于超高压快充电桩、慢充电桩等领域。
通过以上应用实例，可以看出13N95K3-VB 在超高压范围内有着广泛的应用前景，能够满足超高压范围内的高性能和高可靠性需求。
