--- 产品参数 ---
- 封装 SC70-3封装
- 沟道 N-Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 1332EU-VB 产品简介
**产品概述**:
1332EU-VB 是一款单N沟道功率MOSFET,采用Trench技术制造,适用于低压范围内的功率控制和开关应用。其封装为SC70-3,体积小巧,适用于有限空间的应用场景。
**产品特点**:
- **低电压承受能力**:VDS为20V,适用于低压范围内的应用。
- **低栅极电压**:VGS为±12V,提供设计灵活性。
- **低阈值电压**:Vth为0.5~1.5V,易于驱动。
- **低导通电阻**:RDS(ON)为48mΩ@VGS=2.5V,40mΩ@VGS=4.5V,36mΩ@VGS=10V,提高效率,降低功耗。
- **低电流能力**:ID为4A,适用于低电流应用。
### 1332EU-VB 详细参数说明
- **封装**:SC70-3
- **配置**:单N沟道
- **漏源极电压(VDS)**:20V
- **栅源极电压(VGS)**:±12V
- **阈值电压(Vth)**:0.5~1.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:48mΩ@VGS=2.5V,40mΩ@VGS=4.5V,36mΩ@VGS=10V
- **连续漏极电流(ID)**:4A
- **技术**:Trench

### 应用领域和模块
**移动设备**:
1332EU-VB 可用于移动设备中的功率管理模块,如手机、平板电脑等设备中的电源管理和功率控制。
**消费电子**:
在消费电子产品中,如摄像机、便携式音频设备等中,该MOSFET可用于功率开关和功率控制电路中。
**LED照明**:
在LED照明产品中,如手持式LED灯、台灯等中,该MOSFET可用于LED驱动电路中的功率开关元件,控制LED灯的亮度和开关。
**医疗设备**:
适用于医疗设备中的电源开关和控制,如便携式医疗设备、医疗监护仪器等领域。
**便携式电源**:
在便携式电源产品中,如移动电源、便携式充电宝等中,该MOSFET可用于电源管理模块中的功率开关元件。
通过以上应用实例,可以看出1332EU-VB 在各个领域和模块中都有广泛的应用前景,能够满足低压范围内的高性能和高可靠性需求。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12