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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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054N06N-VB一种N-Channel沟道TO263封装MOS管

型号: 054N06N-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 TO263封装
  • 沟道 N-Channel

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

以下是您请求的信息:

**产品简介:**

VBsemi的054N06N-VB是一款TO263封装的单N沟道场效应管。它具有60V的漏极-源极电压(VDS),20V的门-源电压(VGS,±V),3V的阈值电压(Vth),以及在VGS=10V时为4mΩ的导通电阻(RDS(ON)),并且能够承受150A的漏极电流(ID)。该产品采用槽道技术(Trench Technology)制造。

**详细参数说明:**

- 封装:TO263
- 构型:单N沟道
- VDS(漏极-源极电压):60V
- VGS(门-源电压):20V(±V)
- Vth(阈值电压):3V
- RDS(ON)(导通电阻):4mΩ @ VGS=10V
- ID(漏极电流):150A
- 技术:槽道技术(Trench)

**适用领域和模块示例:**

1. **电源模块**:054N06N-VB可用作开关电源中的功率开关管,用于转换和调节电源电压。
2. **电机驱动**:由于其较低的导通电阻和高漏极电流能力,该器件可用于驱动要求较高的直流电机。
3. **照明应用**:在LED驱动电路中,它可以作为电流调节器,提供可靠的功率控制。
4. **电动汽车控制**:用于电动汽车中的电机控制和电池管理系统,提供高效的功率开关。
5. **工业自动化**:可用于工业设备和机器人的功率开关,确保设备的稳定运行。

以上是对054N06N-VB产品的简介、参数说明和适用领域和模块的说明。

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