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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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SUD50P04-15-E3-VB一款P—Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: SUD50P04-15-E3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 TO252封装
  • 沟道 P—Channel

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介:

SUD50P04-15-E3-VB是VBsemi品牌生产的P沟道场效应管,具有-40V的漏极-源极电压承受能力和-65A的漏极电流承受能力。该器件专为满足高性能功率电子应用需求而设计,提供可靠的功率控制解决方案。其丝印为VBE2412,封装为TO252。

### 参数说明:

- **漏极-源极电压(VDS)**:-40V
- **漏极电流(ID)**:-65A
- **导通电阻(RDS(ON))**:10mΩ @ VGS=10V
- **阈值电压(Vth)**:-1.6V
- **封装类型**:TO252

### 详细参数说明:

1. **漏极-源极电压(VDS)**:指定了器件在导通状态下能够承受的最大电压。对于SUD50P04-15-E3-VB,这个值为-40V。
 
2. **漏极电流(ID)**:定义了器件在导通状态下能够通过的最大电流。该型号的SUD50P04-15-E3-VB可承受高达-65A的漏极电流。

3. **导通电阻(RDS(ON))**:描述了器件在导通状态下的电阻大小,直接影响功率损耗和效率。在VGS=10V时,SUD50P04-15-E3-VB的导通电阻为10mΩ。

4. **阈值电压(Vth)**:指定了沟道导通所需的门极-源极电压。SUD50P04-15-E3-VB的阈值电压为-1.6V。

### 适用领域和模块举例:

1. **电源管理模块**:SUD50P04-15-E3-VB可用于各种电源管理模块,如开关电源和电源逆变器。其高电压和电流承受能力以及低导通电阻使其能够在这些模块中实现高效的功率转换和稳定的电流调节。

2. **电机驱动器**:在工业自动化和机器人领域,该器件可以应用于电机控制模块,确保电机运行的稳定性和效率。

3. **电池保护**:在电池管理系统中,SUD50P04-15-E3-VB可以用于充放电控制和电池保护,确保电池工作在安全的电流和电压范围内。

4. **电源开关**:该器件可用于电源开关模块中,实现对电路的快速开关和调节,用于各种便携式设备和家用电器。

5. **汽车电子**:适用于汽车电子系统,如电动汽车的电池管理和驱动控制,以提高车辆的性能和效率。

综上所述,SUD50P04-15-E3-VB在电源管理、电机驱动、电池保护、电源开关和汽车电子等领域和模块中都有广泛的应用。

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