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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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NTD18N06G-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

型号: NTD18N06G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 TO252封装
  • 沟道 N—Channel

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

以下是NTD18N06G-VB型号的产品简介和详细参数说明:

### 产品简介:

NTD18N06G-VB是VBsemi生产的N—Channel沟道功率场效应晶体管,具有以下特点:
- 负载工作电压:60V
- 最大漏极电流:45A
- 静态漏极-源极电阻:24mΩ @ VGS=10V
- 静态漏极-源极电阻:24mΩ @ VGS=20V
- 门极阈值电压:1.8V
- 封装:TO252

### 参数说明:

- **负载工作电压 (VDS)**: 60V,指定了晶体管在负载工作时的最大电压。
- **最大漏极电流 (ID)**: 45A,表示晶体管能够承受的最大漏极电流。
- **静态漏极-源极电阻 (RDS(ON))**: 在不同的门极电压下,静态漏极-源极电阻都为24mΩ。这个参数表示了晶体管导通时的导通电阻。
- **门极阈值电压 (Vth)**: 1.8V,是晶体管开始导通的门极电压阈值。

### 应用领域和模块举例:

1. **电源管理模块**:NTD18N06G-VB适用于各种电源管理模块,例如开关电源、稳压器等,提供稳定的电源输出和功率管理。
  
2. **电动车辆**:在电动车辆中,NTD18N06G-VB可用于控制电动车辆的电机,实现高效的动力输出和节能减排。
  
3. **工业自动化**:在工业自动化领域,NTD18N06G-VB可用于控制各种电机、执行器和传感器,实现精确的控制和调节。

NTD18N06G-VB的特性使其在各种领域和模块中都能发挥重要作用,提供高效、稳定的功率控制和管理功能。

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