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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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IPD250N06N3-G-VB一款N—Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: IPD250N06N3-G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 TO252封装
  • 沟道 N—Channel

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

IPD250N06N3-G-VB 是 VBsemi 公司生产的 N 沟道场效应管。以下是该产品的详细信息:

**产品简介:**
IPD250N06N3-G-VB 是一款高性能的 N 沟道场效应管,具有60V 的额定耐压和45A 的最大漏极电流。它采用 TO252 封装,适用于各种功率电子应用。

**详细参数说明:**
- **沟道类型:** N 沟道
- **耐压:** 60V
- **最大漏极电流:** 45A
- **导通电阻 (RDS(ON)):** 24mΩ (在 VGS=10V 时); 20mΩ (在 VGS=20V 时)
- **门极阈值电压 (Vth):** 1.8V

**适用领域和模块:**
该产品适用于多种领域和模块,例如:

1. **电源管理模块:** IPD250N06N3-G-VB 的高耐压和大电流特性使其成为电源管理模块的理想选择。它可以用于开关电源、逆变器和直流-直流转换器等应用中。
 
2. **汽车电子:** 在汽车电子领域,这款场效应管可以用于驱动电机、电动汽车充电桩和电池管理系统等高功率应用。
 
3. **工业控制:** 由于其高性能和可靠性,IPD250N06N3-G-VB 在工业控制设备中广泛应用,例如工业自动化系统中的电机驱动和电源开关等。

4. **LED 照明:** 该型号的场效应管还适用于 LED 照明系统中的电源控制和电流调节模块,以实现高效的能源转换和灯具控制。

5. **电动工具:** 在电动工具和家用电器领域,IPD250N06N3-G-VB 可以用于电机驱动、电池管理和功率逆变等电路中,提供可靠的性能和高效的功率转换。

综上所述,IPD250N06N3-G-VB 场效应管适用于各种需要高性能、高可靠性功率电子解决方案的应用领域和模块。

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