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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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FS30ASJ-06F-VB一款N—Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: FS30ASJ-06F-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 TO252封装
  • 沟道 N—Channel

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

产品简介:FS30ASJ-06F-VB是VBsemi生产的一款N-Channel沟道场效应管。该器件具有60V的漏极-源极电压承受能力和45A的漏极电流能力。其导通电阻RDS(ON)在VGS=10V时为24mΩ。该器件适用于各种中高压功率控制和开关应用,具有高效能和低导通电阻的特点。

详细参数说明:
- 品牌:VBsemi
- 型号:FS30ASJ-06F-VB
- 丝印:VBE1638
- 沟道类型:N-Channel
- 最大漏极-源极电压(VDS):60V
- 最大漏极电流(ID):45A
- 导通电阻RDS(ON):24mΩ @ VGS=10V
- 阈值电压Vth:1.8V
- 封装:TO252

适用领域和模块示例:
1. 电机驱动:FS30ASJ-06F-VB可用于驱动各种类型的电机,如直流电机和步进电机,以控制其速度和方向。
2. 电源开关:在电源开关模块中,该器件可以用作高功率开关,帮助实现电源的开启和关闭,同时保持低导通电阻,减少功率损耗。
3. 汽车电子系统:在汽车的电子系统中,FS30ASJ-06F-VB可以用于控制车辆的各种电气设备,如电动窗、座椅调节器等,确保其高效稳定的运行。
4. 工业控制:在工业控制领域,该器件可用于各种自动化设备和机器的控制,提高系统的响应速度和效率。

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