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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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18N06G-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

型号: 18N06G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 TO252封装
  • 沟道 N—Channe

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

产品简介:
VBsemi的18N06G-VB是一款N沟道场效应管,具有60V的漏极-源极电压承受能力和45A的漏极电流承受能力。其在VGS=10V和VGS=20V时的静态导通电阻(RDS(ON))分别为24mΩ。门极阈值电压(Vth)为1.8V。该器件采用TO252封装。

详细参数说明:
- 通道类型:N沟道
- 最大漏极-源极电压:60V
- 最大漏极电流:45A
- 静态导通电阻:
 - VGS=10V时:24mΩ
 - VGS=20V时:24mΩ
- 门极阈值电压:1.8V
- 封装类型:TO252

适用领域和模块示例:
1. 电源模块:18N06G-VB适用于电源模块中的开关电源和逆变器,能够提供可靠的功率开关控制。
2. 电动工具:由于其高电压和电流承受能力,18N06G-VB可用于电动工具中的驱动电路,提供高效的电能转换。
3. 电动车辆:作为电动车辆中电机控制的一部分,该器件可以实现高效的电能转换和电机驱动,提升电动车辆的性能和能效。
4. 工业自动化:在工业自动化设备中,18N06G-VB可用于驱动各种负载,如电机、阀门和灯具,实现精确的控制和高效的能量转换。

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