--- 产品参数 ---
- 封装 TO252封装
- 沟道 N—Channe
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
产品简介:
VBsemi的18N06G-VB是一款N沟道场效应管,具有60V的漏极-源极电压承受能力和45A的漏极电流承受能力。其在VGS=10V和VGS=20V时的静态导通电阻(RDS(ON))分别为24mΩ。门极阈值电压(Vth)为1.8V。该器件采用TO252封装。
详细参数说明:
- 通道类型:N沟道
- 最大漏极-源极电压:60V
- 最大漏极电流:45A
- 静态导通电阻:
- VGS=10V时:24mΩ
- VGS=20V时:24mΩ
- 门极阈值电压:1.8V
- 封装类型:TO252

适用领域和模块示例:
1. 电源模块:18N06G-VB适用于电源模块中的开关电源和逆变器,能够提供可靠的功率开关控制。
2. 电动工具:由于其高电压和电流承受能力,18N06G-VB可用于电动工具中的驱动电路,提供高效的电能转换。
3. 电动车辆:作为电动车辆中电机控制的一部分,该器件可以实现高效的电能转换和电机驱动,提升电动车辆的性能和能效。
4. 工业自动化:在工业自动化设备中,18N06G-VB可用于驱动各种负载,如电机、阀门和灯具,实现精确的控制和高效的能量转换。
为你推荐
-
P3004BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:51
产品型号:P3004BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封装P-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:48
产品型号:P3003BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:47
产品型号:P2NK90Z-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:44
产品型号:P2904BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:42
产品型号:P2804EDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:40
产品型号:P2804BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:36
产品型号:P2703BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:31
产品型号:P2610BD-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:28
产品型号:P2610ADG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封装N-Channel场效应晶体管2025-10-16 15:25
产品型号:P2504BDG-VB Package:TO252 沟道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供应链保障高性价比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P沟道功率方案,以本土化供应链实现高性价比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12